США планируют ввести ограничения против китайских производителей полупроводников

Ограничения предусматривают запрет на поставку американского оборудования для производства микросхем на заводы в Китае, производящие передовые микросхемы NAND.

Соединенные Штаты рассматривают возможность ограничения поставок американского оборудования для производства микросхем китайским компаниям. Об этом сообщает Reuters со ссылкой на четыре анонимных информированных источника.

США путем экспортного контроля попытаются ограничить китайское производство чипов памяти без специализированного военного применения. Ограничения предусматривают запрет на поставку американского оборудования для производства микросхем на заводы в Китае, производящие передовые микросхемы NAND.

Если администрация президента Джо Байдена сделает этот шаг, это может повредить и южнокорейским производителям микросхем памяти Samsung Electronics Co Ltd и SK Hynix Inc. Samsung имеет две крупные фабрики в Китае, а SK Hynix Inc покупает бизнес Intel Corp (INTC.O) по производству микросхем флэш-памяти NAND в Китае.

Читайте также: Россия не должна иметь доступ к полупроводникам для производства оружия.

Администрация Байдена рассматривает этот вопрос на начальной стадии – нормативно-правовых актов еще не разработан.

Отвечая на просьбу прокомментировать возможный шаг, представитель Министерства торговли, контролирующий экспортный контроль, не уточнил детали потенциальных ограничений, но отметил, что «администрация Байдена сосредоточена на уничтожении усилий (Китая) по производству передовых полупроводников для устранения значительных рисков для национальной безопасности Соединенных Штатов».

Читайте также: Противостояние США и КНР: полухолодная полувойна полупроводников

Напомним, Конгресс США принял закон, согласно которому правительство страны выделит $280 млрд на производство микрочипов и создаст новые рабочие места в соответствующей отрасли. Предполагается, что это поможет Штатам избавиться от зависимости от Китая, который в последние годы стал лидером в производстве полупроводников.

Подготовил/ла : Юлия Лавришин

Оставайтесь в курсе последних событий! Подписывайтесь на наш канал в Telegram

Источник